UVLED产业的发展状况

这几年，我国紫外UVLED技术应用发展相对迅速。紫外LED芯片发光的波长越短，技术难度就越大，深紫外LED芯片领域更是具有一片广大的前景。

未来研究方向

根据紫外LED芯片的研究现状，预计其未来研究发展方向有如下几个方面：研究高质量的深紫外材料外延生长技术；高Al组分AlGaN材料生长技术和掺杂技术；深紫外LED结构设计;波长300nm以下LED器件芯片制作工艺和封装技术；面向医疗、杀菌和净化应用领域的紫外光源模块开发和应用； 

未来技术问题

未来需解决的技术问题是蓝宝石衬底上高质量AlN模板的MOCVD外延生长；AlGaN量子阱的发光机制研究与结构控制技术；P型高Al组分AlGaN掺杂技术研究；低欧姆接触电极的制作；电流拥堵效应的解决；荧光材料的合成；耐热抗紫外封装材料的研究；深紫外LED的器件工艺和封装技术；深紫外LED的应用模块研制等。

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